เมื่อวันที่ 31 ธันวาคม 2024 ตามรายงานของสมาคมอุตสาหกรรมวัสดุอิเล็กทรอนิกส์แห่งประเทศจีน บริษัท มณฑลซานซี ชูโอเกะ คริสตัล โค., จำกัด. ซึ่งเป็นบริษัทในเครือของ จีน อิเล็กทรอนิกส์ เทคโนโลยี สารกึ่งตัวนำ วัสดุ โค., จำกัด. ประสบความสำเร็จในการพัฒนาซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์ผลึกเดี่ยวกึ่งฉนวนที่มีความบริสุทธิ์สูงขนาด 12 นิ้ว (300 มม.) และสามารถพัฒนาซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์ผลึกเดี่ยวชนิด N ขนาด 12 นิ้วได้สำเร็จในเวลาเดียวกัน

ในแง่ของการก่อสร้างกำลังการผลิต โครงการ ชูโอเกะ คริสตัล ซิลิคอน คาร์ไบด์ เฟส ครั้งที่สอง ได้ผ่านการอนุมัติให้แล้วเสร็จในเดือนตุลาคม 2024 ซึ่งถือเป็นการเริ่มต้นการผลิตอย่างเป็นทางการของโครงการ เมื่อโครงการระยะที่ 2 เสร็จสิ้น คาดว่าจะทำให้ ชูโอเกะ คริสตัล มีซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์ขนาด 6-8 นิ้วเพิ่มขึ้นอีก 200,000 ชิ้นต่อปี ซึ่งรวมถึงซับสเตรตซิลิกอนคาร์ไบด์ชนิด N เดี่ยว 200,000 ชิ้นต่อปี และซับสเตรตที่มีความบริสุทธิ์สูง 25,000 ชิ้นต่อปี

ในแง่ของความคืบหน้า 8 นิ้ว ชูโอเกะ คริสตัล ได้พัฒนาคริสตัลซิลิกอนคาร์ไบด์ขนาด 8 นิ้วในเดือนสิงหาคม 2021 จากนั้นในเดือนมกราคม 2022 ชูโอเกะ คริสตัล ได้ผลิตเวเฟอร์ขัดซิลิกอนคาร์ไบด์ชนิด N ขนาด 8 นิ้วในปริมาณน้อย การเพิ่มขนาดเวเฟอร์หมายความว่าสามารถผลิตชิปได้มากขึ้นบนเวเฟอร์แต่ละอัน จึงช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพการผลิต ไม่เพียงแต่ลดต้นทุนการผลิตของชิปตัวเดียวเท่านั้น แต่ยังปรับให้ต้นทุนการผลิตโดยรวมเหมาะสมที่สุดอีกด้วย ดังนั้นเวเฟอร์ขนาดใหญ่จึงมีประสิทธิภาพทางเศรษฐกิจมากกว่าและนำข้อได้เปรียบในการแข่งขันที่มากขึ้นมาสู่ผู้ผลิต

ปัจจุบันเวเฟอร์ขนาดใหญ่ได้กลายเป็นเป้าหมายร่วมกันที่ผู้ผลิตหลักต่างมุ่งหวัง นอกจาก ชูโอเกะ คริสตัล แล้ว เทียนเยว่ ขั้นสูง ยังได้เปิดตัวผลิตภัณฑ์พื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ชนิด N ขนาด 12 นิ้วเมื่อวันที่ 13 พฤศจิกายน 2024 ซึ่งถือเป็นการแสดงให้เห็นว่าอุตสาหกรรมซิลิกอนคาร์ไบด์ได้เข้าสู่ยุคของพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์ขนาดใหญ่พิเศษอย่างเป็นทางการแล้ว แม้ว่าปัจจุบันสนามพื้นผิวซิลิกอนคาร์ไบด์จะเปลี่ยนแปลงจาก 6 นิ้วเป็น 8 นิ้ว แต่การพัฒนาในอนาคตเป็น 12 นิ้วนั้นมีความชัดเจนอย่างยิ่ง